1234下一页
返回列表 发新帖本帖赏金 176.00元(功能说明)
打印

〓◆英飞凌在线研讨会精彩回顾◆〓

[复制链接]
7398|71
跳转到指定楼层
楼主
大家好,我是21小喇叭
新一期在线研讨会就要开始啦,赶快来参加吧~
下面还是由我来给大家介绍本期内容,咳咳~

>>简介:
                                            
作为第三代半导体器件,碳化硅MOSFET越来越受到学术界和工业的关注。碳化硅器件在给系统带来种种优势的情况下,对设计也提出了更高的要求。如果设计碳化硅MOSFET的驱动电炉,如何在故障情况下保护碳化硅MOSFET,已经成为产品设计中必须面对的问题。本期研讨会将由英飞凌工程师为你详细讲解。


>>会议时间: 2019年06月04日10:00-10:40准时参会,观看赵佳、郑姿清的精彩演讲。

>>会议现场接口:http://seminar.sljd120.com/meeting/detail?meeting_id=274
                             (2019-06-04 10:00:00后才可以进入)
                              注:如果您有相关技术问题,可以跟帖提出!英飞凌专家会为您现场解答
另外,参与“在线调查”还有机会得10元手机充值卡噢,我们将从参与在线调查用户中抽取10位幸运用户~~~~

除了这些,在线研讨会还有最新玩法——打赏呦,快来围观吧
快仔细看下面细则:
>>活动说明:为了给工程师与偶们的在线研讨会讲师更多交流的机会

                     1、截图参与本次在线研讨会的界面及本人的提问,提问时间需在中午12:00之前才有效。
                     2、06月04日当天在本帖下回复发布截图即可(审核通过的呦),就可以获得打赏哦

>>活动奖励:每个有效提问打赏2元,每人 10元封顶。
(注:提问问题须和当天会议相关问题。类似“支持”“讲的很好”“谢谢”等都不算有效提问。明显“水”的凑数提问将不打赏~)


>>【截图示例】


我们的宗旨是为您提供更多的最新的行业动态,提供更多的交流平台。还在等什么,快来报名参与吧。
链接地址:
http://seminar.sljd120.com/meeting/detail?meeting_id=274,参与问卷调查也有可能获得惊喜呦。

评论

tpgf 2019-6-4 10:22 回复TA
非常不错的讲座 
21ic小喇叭 2019-6-3 14:06 回复TA
@hobbye501 :点开上面链接,可以看到主讲人介绍 
hobbye501 2019-6-3 13:58 回复TA
看名字,演讲的应该是2个妹子吧 
沙发
| 2019-6-3 13:36 | 只看该作者
好好学习天天向上

评论

21ic小喇叭 2019-6-3 13:43 回复TA
好好学习~~ 
板凳
| 2019-6-3 13:59 | 只看该作者
英飞凌也出MOSFET管?基本不都是隔离电源和IC嘛

专家回复: 英飞凌在2017年正式发布碳化硅MOS产品

评论

hobbye501 2019-6-3 14:25 回复TA
@21ic小喇叭 :好的 
21ic小喇叭 2019-6-3 14:06 回复TA
可以来听一听 
地板
| 2019-6-3 14:18 | 只看该作者
又一波好好学习的研讨会

评论

21ic小喇叭 2019-6-3 18:06 回复TA
是的呢 
5
| 2019-6-3 14:52 | 只看该作者
研讨会,这次赶上了

评论

21ic小喇叭 2019-6-3 18:06 回复TA
哈哈,陆陆续续的研讨会等你参加呢 
6
| 2019-6-4 07:47 | 只看该作者
7
| 2019-6-4 10:18 | 只看该作者
参加会议

1.png (27.14 KB, 下载次数: 0)

1.png

打赏榜单

21ic小喇叭 打赏了 10.00 元 2019-06-05

8
| 2019-6-4 10:20 | 只看该作者
门极电压和开关次数有什么关系?

专家回复: 门极电压用得高一些,比如18V,对应可以多承受点开关次数而避免漂移

9
| 2019-6-4 10:20 | 只看该作者
第三代半导体器件的代是怎么划分的,一二代是什么?

专家回复: 第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料,第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb);第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的宽禁带半导体材料。第三代半导体材料的特点是带隙宽,更用于高压高频高温的应用

10
| 2019-6-4 10:20 | 只看该作者
在什么情况下需要考虑温度对短路电流的影响呢

专家回复: 高温时,由于基础温度高,如果这时短路,温度就必须考虑

11
| 2019-6-4 10:20 | 只看该作者
门极误开通能否彻底避免?关键措施在哪?

专家回复: 门极是米勒导通,只要有dvdt就不可避免,关键措施是在这种时刻能提供泻放回路,但又最好不要影响正常开关速度为佳

12
| 2019-6-4 10:20 | 只看该作者
碳化硅除了MOSFET IGBT外还有哪些器件可以用到?

专家回复: 二极管也有成熟的商用产品

13
| 2019-6-4 10:20 | 只看该作者
如何防止门极误导通?

专家回复: 器件的选择考虑较高的阈值电压,驱动板设计考虑合理的门极布线以及开通速率的折中

14
| 2019-6-4 10:20 | 只看该作者
SiC与Si、GaN的主要特征差异在哪?

专家回复: SIC, GaN属于第三代半导体器件,相对于Si器件适用于更高的开关频率,具有更高的效率等优点。GaN器件相对于SiC适用于更高的开关频率,但是SiC可以用在更高的电压等级和功率。

15
| 2019-6-4 10:20 | 只看该作者
英飞凌将收购赛普拉斯,是否能起到哪方面的\"补缺\"效能?

专家回复:通过此交易,我们将能为客户提供最全面的产品组合,连接现实与数字世界。这将在汽车、工业和物联网领域开拓新的增长潜力  赛普拉斯拥有包括微控制器、软件和连接组件等具差异化的产品组合,与英飞凌具领先地位的功率半导体、传感器和安全解决方案优势高度互补。结合双方的技术资产将能为电动马达、电池供电装置和电源供应器等高增长应用领域提供更全面先进的解决方案

16
| 2019-6-4 10:20 | 只看该作者
碳化硅MOSFET是否必须在设计之初就考虑进去?还是可以在原有电路上进行替换设计?

专家回复: 最好在设计之初就考虑进去。因为SiC MOSFET驱动需求有别于IGBT。同时SiC MOSFET开关速度更快,对杂散参数更加敏感,这些都需要提前规划好

17
| 2019-6-4 10:20 | 只看该作者
MOSFET的故障保护主要通过硬件还是软件来实施?

专家回复: 双方在技术产品组合方面的优势高度互补,这将进一步拓展我们在汽车、工业和物联网等高速增长市场的市场潜力。 赛普拉斯拥有包括微控制器、软件和连接组件等具差异化的产品组合,与英飞凌具领先地位的功率半导体、传感器和安全解决方案优势高度互补。结合双方的技术资产将能为电动马达、电池供电装置和电源供应器等高增长应用领域提供更全面先进的解决方案。

18
| 2019-6-4 10:20 | 只看该作者
可否简要介绍一下第三代半导体器件相比于第二代有了哪些进步?

专家回复: 第三代半导体材料相比于第二代半导体禁带宽度更大,临界场强更高,饱和漂移速率更高,热导率也更高。表现在器件上,第三代半导体器件可以承受更高的电压,开关速率更快,能够承受的结温也更高。

19
| 2019-6-4 10:21 | 只看该作者

打赏榜单

21ic小喇叭 打赏了 10.00 元 2019-06-05

20
| 2019-6-4 10:23 | 只看该作者
支持活动

1.png (177.15 KB, 下载次数: 0)

1.png

打赏榜单

21ic小喇叭 打赏了 10.00 元 2019-06-05

扫描二维码,随时随地手机跟帖
1234下一页
返回列表 发新帖 本帖赏金 176.00元(功能说明)
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

我要发帖 投诉建议 创建版块 申请版主

快速回复

您需要登录后才可以回帖
登录 | 注册
高级模式

论坛热帖

关闭

热门推荐上一条 /2 下一条

在线客服 快速回复 返回顶部 返回列表
河北快3 上海快3 安徽快3 广西快3 吉林快3 北京快3 北京赛车 福建快3 福建快3 上海快3